Главная \ Оборудование \ Перечень оборудования Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Перечень оборудования Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Оборудование

Страна

Фирма-изготовитель

Марка

Год

Возможности

Двулучевая система Quanta 3D FEG

Соединённые Штаты Америки

FEI

Quanta 3D FEG

2008

Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов

Энергодисперсионный спектрометр Quantax XFlash 6

Германия

BRUKER Nano

Qantax X FLASH 6 130

2013

Элементный анализ

Спектрометр дифракции обратнорассеяных электронов Quantax e-Flash

Германия

Bruker

Quantax e-Flash

2013

Анализ зерен от 1 мкм и более; база из более чем 80 000 структур; кристаллографический анализ

Растровый электронный микроскоп JSM-6490LV

Япония

JEOL

JSM-6490LV

2008

Термокатод позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 12 нм; максимальный размер образца 150х150х10 мм

Система для управления пучком и прецизионной засветки фоторезиста на поверхности полупроводниковых подложек для растрового электронного микроскопа 

Германия

Xenos

XeDraw 2

2011

Проведение электронной литографии

Энергодисперсионный спектрометр INCA Energy 350 X-Max20 (Oxford Instruments)

Великобритания

Oxford Instruments

INCA Energy 350 X-Max20

2011

Одновременная регистрация всех элементов от B до U; предел обнаружения элементов ~1019 ат./см3; разрешение по энергии 121 эВ.

Термический столик для проведения экспериментов при пониженных и повышенных температурах для растрового электронного микроскопа 

Великобритания

Deben

MK3 COOLSTAGE

2011

Позволяет проводить измерения внутри камеры растрового электронного микроскопа, нагревая и охлаждая образец в диапазоне от минус 20 °С до + 150 °С, одновременно наблюдая за процессом.

Атомно-силовой микроскоп SmartSPM (AIST-NT)

Россия

AIST-NT

SmartSPM

2009

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см.

Высоковакуумная низкотемпературная система «PlasmoScope-2M» для исследования нанорельефа, магнитных и тепловых свойств наноструктур методами АСМ/СТМ/МСТ

Россия

ПРОТОН-МИЭТ

PlasmoScope-2M

2015

Система позволяет проводить анализ геометрических и физических параметров топографии поверхности образцов с нанометровым пространственным разрешением на воздухе, в условиях сверхвысокого вакуума и магнитном поле при различных температурах. Точность измерения латеральных размеров до 1 нм, возможно проведения измерения АСМ и СТМ методиками, измерения проводящих и непроводящих материалов, визуализация атомарной решетки.

Спектральный эллипсометр AutoSe System (HORIBA Jobin Ivon)

Франция

HORIBA Jobin Ivon

AutoSe System

2009

Диапазон длин волн 190-2100 нм; угол падения от 35 до 90°; точность определения показателя преломления n~0,002.

Сканирующий спектральный эллипсометр Horiba Uvisel 2

Франция

Horiba

Uvisel 2

2015

Диапазон длин волн 440-848 нм; оптимальный размер области измерения 70х250 мкм и более; фиксированный угол падения 70°; точность определения показателя преломления n~0,002

Дифрактометр многофункциональный Rigaku SmartLab

Япония

Rigaku

SmartLab

2014

Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;

определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;

определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.

Система по изучению магнитооптического эффекта Керра Neoark BH-PI7892-KI

Япония

Neoark

BH-PI7892-KI

2014

Система предназначена для локального исследования магнитооптического эффекта Керра и наблюдения поведения магнитных доменов на тонких пленках, структурированных магнитных микроустройствах и др. Диапазон области анализа около 2 мкм; 20-ти и 50-ти кратные объективы; возможно проведение измерения при низких (2,2К) и средних (500К) температурах; тип наблюдаемого эффекта: полярный и меридиональный.

Времяпролетный вторично-ионный масс-спектрометр TOFSIMS-5-100 (IonTOF)

Германия

IonTOF

TOFSIMS-5-100

2012

Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 Å; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм.

Оже-микрозонд PHI-670xi (Physical Electronics)

Соединённые Штаты Америки

Physical Electronics

PHI-670xi

2012

Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ.

Профилометр

Соединённые Штаты Америки

KLA-Tencor

Alpha-Step D120

2012

Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм.

Установка для ионного травления и полировки

Соединённые Штаты Америки

Fischione Instruments

Model 1060 SEM Mill

2012

Два ионных источника;

формирование полированных шлифов под углами 0-10° на глубину до 2 мм;

возможность загрузки образцов диаметром 25 мм и высотой более 10 мм;

вращение образца на 360°;

непрерывное изменение диапазона энергии ионов от 0,1 кэВ до 6,0 кэВ;

плотность ионного тока до 10 мA/см2;

технологический газ – аргон (Ar);

вакуум в рабочей камере не хуже 5∙10-2 Па.

Установка для акустических исследований объемных структур

Германия

KSI Sonic Industries GmbH

KSI v-350lm

2012

Неразушрающий метод анализа, который позволяет получать акустическое изображение образца и выявить такие дефекты как расслоение, наличие пустот и трещин. Позволяет определять качество процесса бондинга. Максимально разрешение 5мкм.

Установка измерения поверхностного сопротивления

Соединённые Штаты Америки

Lucas Labs

QuadPRO

2010

Программное обеспечение позволяет выбирать 1, 5, 9, 25 или 49 точек для автоматического тестирования и отображения тестового образца. Шаблоны позиционирования могут быть настроены на круглую или квадратную конфигурацию.

Выдает информацию о среднем удельном сопротивлении, стандартном отклонении удельного сопротивления, среднем сопротивлении образца и стандартном отклонении.

Лазерный конфокальный микроскоп VL 2000 DХ (Lasertech)

Япония

Lasertech

VL 2000 DХ

2008

Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца.

Зондовая установка для анализа пластин и подложек до 150 мм
 

Соединённые Штаты Америки

Cascade Microtech

PM5 Probe System

2010

Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов.

Полуавтоматическая зондовая установка

Соединённые Штаты Америки

Cascade Microtech

Summit 12K

2011

Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм

Установка атомно-слоевого осаждения
 

Финляндия

Picosun

Sunale R-200

2011

Установка позволяет наносить пленки толщиной в один атомный слой высокого качества с отличной равномерностью на самых сложных поверхностях с развитым рельефом.

Технологический комплекс групповой сборки кристаллов и соединения пластин 
 

Германия

Suss Microtech

Substrate bonder SB6

2007

Установка сращивания пластин. Предназначена для проведения процессов бондинга: предварительное сращивание для прямого сращивания, анодная посадка, сращивание с применением промежуточного слоя. Максимальная температура 450 С, максимальная сила прижима 20 кН.

Технологический комплекс напыления тонких пленок металлов 
 

Соединённые Штаты Америки

SEGI

SEGI-RFA3-4TR

2008

Установка магнетронного напыления металлов. Предназначена для напыления тонких пленок металлов (алюминий, титан)

Технологический комплекс плазменного, реактивно-ионного травления кремния и обработки материалов
 

Соединённые Штаты Америки

STS

STS

2008

Предназначен для сухого травления кремния (Bosch процесс, изотропное травление кремния), диэлектрических слоев и металлов.

Технологический комплекс пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов SVFUR-LH4 (SVCS)

Чехия

SVCS

SVFUR-LH4

2007

Позволяет проводить PE CVD процессы осаждения нитрида, оксида и оксинитрида кремния.

Технологический комплекс термических процессов (диффузия и окисление) SVFUR-AH4 (SVCS)

Чехия

SVCS

SVFUR-AH4

2007

Позволяет производить процессы сухого и влажного окисления кремния, диффузии фосфора, нанесения нитрида кремния.

Технологический комплекс фотолитографии и оптического контроля EVG 150

Австрия

EVG

EVG 150

2005

Полный цикл оборудования для контактной фотолитографии. Включает в себя установки отмывки, проявления и нанесения фоторезиста. Экспонирование производится на установках Suss MA/BA 6 и MA150

Технологический комплекс жидкостного травления и химической обработки кремния Mercury style (SCR)

Чехия

SCR

Mercury style

2005

Предназначен для спреевой химической обработки кремниевых пластин.

Установка монтажа пелликлов 8002 (MLI)

Соединённые Штаты Америки

MLI

8002

2005

Позволяет с заданной точностью производить монтаж рамки пелликлов на рабочие и нерабочие  поверхности фотошаблона с заданной точностью попадания инородных частиц на поверхность

Программно-аппаратный комплекс для проведения процессов с фотошаблонами размером 7 дюймов

Германия

Vistec

7012

2011

Позволяет формировать интегральные схемы на фотошаблонах размером 7 дюймов, используемых для контактной литографии

Установка автоматического контроля топологии на фотошаблонах
 

Белоруссия

УП «КБТЭМ-ОМО»

ЭМ-6329

2010

Минимальный размер обнаруживаемых дефектов 0,25 мкм, размер рабочего поля 153х153 (мм), максимальная высота рамки пелликла 8 мм, форматы проектных данных: ZBA, GDS, DXF, ЭМ-5х09, ЭМ-5х89 

Система плазменного реактивно-ионного травления и обработки поверхности фотошаблона «Corial 300S»

Франция

CORIAL

Corial 300S

2015

Обеспечивает формирование топологических элементов с размерами нанодиапазона в маскирующем слое при прямом переносе изображения методом электронно-лучевой литографии; позволяет осуществлять замкнутый цикл изготовления фотошаблонов, включающий изготовление критических слоев с использованием RET-технологии.

Проходная камера CK-581 (Multitest Elektronische System)

Германия

Multitest Elektronische System GmbH

CK-581

2010

Задание температурных режимов при проведении операций функционального и параметрического контроля микросхем

Установка тестирования микросистем UltraFlex (Teradyne)

Соединённые Штаты Америки

Teradyne Inc.

UltraFlex

2007

Функциональный и параметрический контроль микросхем

Комплекс для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств

Белоруссия

ДМТ-Электроникс

ДМТ-518

2010

Для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств

Комплекс измерительный параметров аналоговых микросхем и устройств
 

Белоруссия

ДМТ-Электроникс

ДМТ-219

2010

Измерение параметров аналоговых микросхем и устройств

Микроскоп сканирующий "Микро 2001-01" (КБТЭМ-СО)

Белоруссия

УП "КБТЭМ-СО"

Микро 2001-01

2009

Визуальный контроль

Микроскоп сканирующий INM 100

Соединённые Штаты Америки

KLA-Tencor

INM100

2007

Визуальный контроль

Установка тестирования однокристальных микросистем (SoC)
 

Соединённые Штаты Америки

Teradyne Inc.

UltraFlex

2007

Функциональный и параметрический контроль микросхем

Зондовая установка для тестирования микросистем в составе пластин 
 

Япония

TOKYO SEIMITSU CO., LTD

UF200A

2007

Установка тестирования микросхем в составе пластин

Система обрезки и формовки выводов 

Соединённые Штаты Америки

Fancort Industries, Inc.

5000L-F-3A-F-1A/4

2007

Обрезка выводной рамки и формовка выводов микросхемы

Рентгеноскопическая цифровая система контроля микросхем с функцией томографии 

Великобритания

DAGE Precision Industries Ltd.

XD7600NT

2007

Рентгеноскопический  цифровой  контроль микросхем с функцией  томографии

Камера климатическая программируемая 

Япония

Espeс

MC-811P

2007

Испытание микросхем  термоциклами

Установка контроля акустических шумов LPD-D4000 (BW)

Соединённые Штаты Америки

B

LPD-D4000

2004

Контроль наличия посторонних частиц в подкорпусном объеме микросхем

Установка контроля герметичности с камерой опрессовки в гелии 
 

Великобритания

Pyramid Engineering Systems Ltd.

HLT 560

2007

Контроль герметичности микросхем

Линия герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки с вакуумной печью и возможностью корпусирования в гелиевой среде 
 

Великобритания

Pyramid Engineering Systems Ltd.

HPS 9206М

2007

Герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки

Установка формирования шариковых выводов с возможностью термо- и ультразвуковой сварки выводов многоуровневых корпусов 
 

Германия

F&K Delvotec GmbH

5310

2007

Формирование внутренних выводов микросхемы

Установка УЗ-сварки выводов многоуровневых корпусов с системой механического контроля качества
 

Германия

F&K Delvotec GmbH

5432

2007

Формирование внутренних выводов микросхемы

Установка тестирования и УЗ-сварки (полуавтомат) 
 

Германия

F&K Delvotec GmbH

56ХХ

2007

Формирование внутренних выводов микросхемы с системой контроля

Автомат разварки выводов 64000 G5 (FK)

Германия

F

64000 G5

2005

Формирование внутренних выводов микросхемы

Сухожаровой термошкаф 

Великобритания

Carbolite

CR-30

2007

 Для проведения операций по сушке микросхем

Установка монтажа кристаллов с возможностью эвтектической пайки PP5/2 (Cefor Ingenierie)

Франция

Cefor Ingenierie

PP5/2

2007

Монтаж кристалла в корпус

Установка монтажа кристаллов методом Flip-chip с возможностью эвтектической пайки PP5/4 (Cefor Ingenierie)

Франция

Cefor Ingenierie

PP5/4

2007

Монтаж кристалла в корпус методом Flip-Chip

Установка плазменной очистки 

Соединённые Штаты Америки

Yield Engeniering System, Inc.

YES-G500

2007

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Вакуумная печь
 

Германия

ATV Technologie GmbH

SRO-706

2007

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Установка отмывки полупроводиковых пластин

Белоруссия

УП "КБТЭМ-СО"

ЭМ-3027

2009

Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения

Установка гидрообработки разделенных пластин

Чехия

SCR Engineering s.r.o.

UH 117

2007

Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения

Автоматическое устройство разделения пластин на кристаллы
 

Япония

Disco Abrasive Systems, LTD

DAD3350

2007

Разделение полупроводниковых пластин

Научно-исследовательский программно-технический комплекс для испытаний электронных компонентов энергосберегающих систем
 

Россия

МИЭТ (Зеленоград)

 

2012

 

Установка масс-спектрометрического контроля содержания паров воды внутри корпусов микросхем
 

Россия

ОАО "НИИПМ"

УКСП ШЦМ2.718.028

2011

Установка для контроля содержания паров воды внутри корпусов микросхем

Установка для проведения операции электротермотренировки микросхем УЭТТ ЩЦМ2.757.005 (ОАО "НИИПМ")

Россия

ОАО "НИИПМ"

УЭТТ ЩЦМ2.757.005

2011

Установка для проведения операции электротермотренировки микросхем