Источник мягкого рентгеновского излучения для безмасочного нанолитографа

В настоящее время ведутся интенсивные исследования, направленные на поиск методов создания транзисторных структур с топологическими размерами до 1-3 нм, что необходимо для разработки различных устройств нано - и оптоэлектроники, МЭМС (микроэлектромеханических систем) и др. 
Одним из возможных решений является безмасочная рентгеновская нанолитография, потенциально обладающая высоким разрешением  и производительностью, сравнимой с традиционной проекционной литографией. Для создания наноструктур с предельно малым пространственным разрешением (до 10 нм и ниже)  предлагается новая концепция использования матриц микрофокусных рентгеновских трубок на основе автоэмиссионных кремниевых нанокатодов (см. Рисунок), позволяющая улучшить разрешающую способность литографа. Предложен новый спектральный микрофокусный источник рентгеновского излучения, основой которого является тонкопленочная прострельная мишень с автоэмиссионным нанокатодом с перестраиваемой длиной волны. Использование данных источников рентгеновского излучения открывает новый путь развития безмасочной рентгеновской литографии, применимой как в мелкосерийном, так и в массовом производстве топологических элементов и устройств функциональной наноэлектроники.

Разработки выполняются при поддержке НИУ МИЭТ Министерством Образования и науки Российской Федерации (Соглашение от «26» сентября 2017 г.  № 14.578.21.0250).

Сотрудники ЦКП приняли участие в конференции молодых ученых в области электротехники и электроники Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus-2018).