Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Формирование внутренних выводов микросхемы

Разделение полупроводниковых пластин

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 ?; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм

Установка предназначена для изготовления тонких металлических плёнок методом магнетронного распыления на постоянном токе в среде аргона, а также методом реактивного магнетронного ВЧ-распыления на пластинах Ø 150 мм, 100 мм, а также отдельных небольших образцах. Возможно нанесение тонких плёнок из:

- сплава никель-железо-кобальт (NiFeCo);

- сплава никель-железо (NiFe);

- алюминия (Al);

- никеля (Ni);

- титана (Ti);

- тантала (Ta);

- сплава кобальт-железо-бор (CoFeB);

- магния (Mg);

- сплава железо-марганец (FeMn);

- сплава марганец-иридий (MnIr);

- сплава никель-железо (FeNi);

- сплава железо-кобальт (FeCo);

- сегнетоэлектрика.

Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов

Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;
определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;"
определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.

Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов.

Установка тестирования микросхем в составе пластин

Испытание микросхем  термоциклами

Для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств

Измерение параметров аналоговых микросхем и устройств

Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца.

Герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки

Визуальный контроль

Визуальный контроль

Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ

Микроскоп предназначен для изучения и контроля качества различных объектов. Анализ в отраженном и проходящем свете, в режимах светлого поля и темного поля и др.

Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм

Позволяет формировать интегральные схемы на фотошаблонах размером 7 дюймов, используемых для контактной литографии