? ??????  ??????????  ???????  ????????  ? ?????
Главная страница / Оборудование

Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Скачать список всего оборудования одним файлом

Выбрать:
Автомат разварки выводов 64000 G5 (FGK)
Страна: Германия
Фирма-изготовитель: (FGK) Delwoteс GmbH
Марка: 64000 G5
Год: 2007

Формирование внутренних выводов микросхемы


Автоматизированное рабочее место измерения характеристик полупроводниковых устройств в диапазоне частот до 40 ГГц для создания их математических моделей
Страна: США, Германия
Фирма-изготовитель: FormFactor
Марка: Summit 12000
Год: 2020

Оборудование позволяет производить: измерения S-параметров, импульсные измерения S-параметров, построение ВАХ полупроводниковых структур на кристалле (транзисторы, транзисторные сборки и т.п.), импульсные измерения ВАХ полупроводниковых структур на кристалл (длительность импульса 200 нс).

Автоматизированное рабочее место измерения характеристик полупроводниковых устройств в диапазоне частот до 40 ГГц для создания их математических моделей включает в себя:
- полуавтоматическую зондовую станцию Summit с интегрированной микрокамерой для защиты от электромагнитных излучений и создания контролируемой окружающей среды;
- тюнеры импеданса с комплектом подключения.

Полуавтоматическая зондовая платформа Summit с интегрированной микрокамерой для защиты от электромагнитных излучений и создания контролируемой окружающей среды обеспечивает измерения на пластинах и субстратах до 200 мм, в т.ч.:
•обеспечивает точное и воспроизводимое контактирование (не хуже чем ± 2 мкм);
•имеет держатель пластин с вакуумными зонами диаметром: 10, 70, 141, 180 мм и планарностью поверхности не хуже чем 50 мкм при нагреве до 300°С  (35 мкм при 25,5° С); 
•обеспечивает построение карты пластины (субстрата) в том числе с учетом кристалл в кристалле.
•обеспечивает навигацию по карте пластины  с использованием полностью цифровой видеосистемы с 100 % полем обзора от установленного объектива, скоростью обновления изображения 45,5 кадров в секунду при разрешении 1024х768 и возможностью дальнейшей модернизации до функции автофокуса, режима «Картинки в картинке»;
•обеспечивает автоматические измерения по карте пластины  по выбранному алгоритму с маркированием кристаллов (электронным) по установленным критериям годности;
•обеспечивает СВЧ калибровку и верификацию в ручном и  автоматическом режиме,  в том числе с применением алгоритмов LRRM, LRM+, SOLT-LRRM; 
•обеспечивает размещение на столешнице  до 4 СВЧ  позиционеров и до 8 позиционеров по постоянному току (одновременно 4 СВЧ позиционера  4  по постоянному току) с возможностью одновременного использования проб-карт; 
•обеспечивает эргономичное размещение тюнеров импеданса MT984AL01 с аксессуарами на столешнице для проведения измерений; 
•обеспечивает возможность модернизации для проведения измерений в температурном диапазоне  от -65° до +300° С на месте установки без замены держателя пластин.

Тюнеры импеданса LXI TUNER 2.4 mm обеспечивают: проведение СВЧ измерений с автоматическим контролем согласования/рассогласования входа и нагрузки активных полупроводниковых устройств в диапазоне 8 – 50 ГГц, верификацию моделей GaAs FET транзисторов:
-частотный диапазон: 8–50 ГГц, тракт 2.4 мм;
-значение КСВН: минимальное – 10:1, типичное – 20:1;
-допустимая мощность: 10 Вт – непрерывная, 100 Вт – импульсная;
-вносимые потери: не хуже 1.15 дБ;
-воспроизводимость: не хуже -40 дБ;
-шаг перемещения: зонда – 0.78 мкм, каретки – 1.27 мкм;
-интерфейс управления: стандарт LXI (USB, LAN).

Комплект дополнительного оборудования позволяет проводить СВЧ измерения такие, как:
•Измерения S-параметров.
•Импульсные измерения S-параметров
•Построение ВАХ полупроводниковых структур на кристалле (транзисторы, транзисторные сборки и т.п.)
•Импульсные измерения ВАХ полупроводниковых структур на кристалл (длительность импульса 200 нс)
Комплект ПО позволяет создавать модели полевых СВЧ транзисторов.


Автоматическое устройство разделения пластин на кристаллы
Страна: Япония
Фирма-изготовитель: Disco Abrasive Systems, LTD
Марка: DAD3350
Год: 2007

Разделение полупроводниковых пластин


Аппаратно-программный комплекс для измерений X-, S- параметров и анализа характеристик усилителей до 40 ГГц
Страна: .
Фирма-изготовитель: .
Марка: .
Год: 2019


Аппаратно-программный комплекс для проектирования СВЧ МИС
Страна: .
Фирма-изготовитель: .
Марка: .
Год: 2019


Аппаратно-программный комплекс с терминальным доступом для выполнения задач проектирования интегральных микросхем с автоматизированными рабочими местами
Страна: .
Фирма-изготовитель: .
Марка: .
Год: 2019


Атомно-силовой микроскоп SmartSPM (AIST-NT)
Страна: Россия
Фирма-изготовитель: AIST-NT
Марка: SmartSPM
Год: 2009

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см


Вакуумная печь
Страна: Германия
Фирма-изготовитель: ATV Technologie GmbH
Марка: SRO-706
Год: 2007

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы


Времяпролетный вторично-ионный масс-спектрометр TOFSIMS-5-100 (IonTOF)
Страна: Германия
Фирма-изготовитель: IonTOF
Марка: TOFSIMS-5-100
Год: 2012

Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 ?; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм


Высоковакуумная низкотемпературная система «PlasmoScope-2M» для исследования нанорельефа, магнитных и тепловых свойств наноструктур методами АСМ/СТМ/МСТ
Страна: Россия
Фирма-изготовитель: ПРОТОН-МИЭТ
Марка: PlasmoScope-2M
Год: 2015

Система позволяет проводить анализ геометрических и физических параметров топографии поверхности образцов с нанометровым пространственным разрешением на воздухе, в условиях сверхвысокого вакуума и магнитном поле при различных температурах. Точность измерения латеральных размеров до 1 нм, возможно проведения измерения АСМ и СТМ методиками, измерения проводящих и непроводящих материалов, визуализация атомарной решетки.


Высоковакуумная установка магнетронного осаждения Phase II Jet
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: AJA International Inc.
Марка: ATC-2200-UHV
Год: 2005

Установка предназначена для изготовления тонких металлических плёнок методом магнетронного распыления на постоянном токе в среде аргона, а также методом реактивного магнетронного ВЧ-распыления на пластинах Ø 150 мм, 100 мм, а также отдельных небольших образцах. Возможно нанесение тонких плёнок из:

- сплава никель-железо-кобальт (NiFeCo);

- сплава никель-железо (NiFe);

- алюминия (Al);

- никеля (Ni);

- титана (Ti);

- тантала (Ta);

- сплава кобальт-железо-бор (CoFeB);

- магния (Mg);

- сплава железо-марганец (FeMn);

- сплава марганец-иридий (MnIr);

- сплава никель-железо (FeNi);

- сплава железо-кобальт (FeCo);

- сегнетоэлектрика.


Двулучевая система Quanta 3D FEG
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: FEI
Марка: Quanta 3D FEG
Год: 2013

Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов


Дифрактометр многофункциональный Rigaku SmartLab
Страна: Япония
Фирма-изготовитель: Rigaku
Марка: SmartLab
Год: 2014

Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;
определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;"
определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.


Зондовая установка для анализа пластин и подложек до 150 мм
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: Cascade Microtech
Марка: PM5 Probe System
Год: 2011

Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов.


Зондовая установка для тестирования микросистем в составе пластин UF200A TOKYO
Страна: Япония
Фирма-изготовитель: TOKYO SEIMITSU CO., LTD
Марка: UF200A
Год: 2007

Установка тестирования микросхем в составе пластин


Камера климатическая программируемая 
Страна: Япония
Фирма-изготовитель: Espeс
Марка: MC-811P
Год: 2007

Испытание микросхем  термоциклами


Комплекс для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств
Страна: Белоруссия
Фирма-изготовитель: ДМТ-Электроникс
Марка: ДМТ-518
Год: 2010

Для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств


Комплекс измерительный параметров аналоговых микросхем и устройств
Страна: Белоруссия
Фирма-изготовитель: ДМТ-Электроникс
Марка: ДМТ-219
Год: 2010

Измерение параметров аналоговых микросхем и устройств


Лазерный конфокальный микроскоп VL 2000 DХ (Lasertech)
Страна: Япония
Фирма-изготовитель: Lasertech
Марка: VL 2000 DХ
Год: 2008

Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца.


Линия герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки с вакуумной печью и возможностью корпусирования в гелиевой среде 
Страна: Великобритания
Фирма-изготовитель: Pyramid Engineering Systems Ltd.
Марка: HPS 9206М
Год: 2007

Герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки


Малогабаритная вакуумная установка напыления МВУ ТМ МАГНА
Страна: Россия
Фирма-изготовитель: НИИТМ
Марка: ТМ-150
Год: 2005

Установка предназначена для магнетронного нанесения тонких металлических плёнок, в том числе плёнок драгоценных металлов на кремниевые пластины диаметром 100 и 150 мм с предварительным нагревом пластины и очисткой поверхности пластины в едином вакуумном цикле.

Возможно нанесение тонких плёнок из:

- алюминия (Al);

- алюминия, легированного кремнием (Al-Si);

- алюминий-никеля (Ni-Al);

- хрома (Cr) ЭРХ 99,95 МП;

- тантала (Ta);

- титана (Ti) ВТ1-0;

- нитрида титана (TiN);

- молибдена (Mo) M99,95 MП;

- вольфрама (W) В 99,95 МП;

- стали НЖ20;

- никеля (Ni);

- сплава никель-железо (FeNi);

- ниобия (Nb);

- нитрида ниобия (NbN);

- неодимового магнита (NdFeB);

- магнитного сплава 79НМ;

- платины (Pt).

Диаметр обрабатываемых кремниевых пластин, мм.                        100 или 150

Количество обрабатываемых пластин за цикл, шт.                       2

Предельное остаточное давление в рабочей камере, Па                 2,6·10-3

Максимальная мощность нагревателя пластин, кВт             1

Максимальная мощность блока питания источника ионов, кВт                       1

Количество магнетронов, шт.                          2

Максимальная мощность каждого магнетрона, кВт                           2,5

Максимальный расход реактивного газа, подаваемого в рабочую камеру, л/час.0,9

Максимальный расход аргона, подаваемого в рабочую камеру, л/час.    0,9



Микроскоп сканирующий "Микро 2001-01" (КБТЭМ-СО)
Страна: Белоруссия
Фирма-изготовитель: "УП "КБТЭМ-СО""
Марка: Микро 2001-01
Год: 2009

Визуальный контроль


Микроскоп сканирующий INM 100
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: KLA-Tencor
Марка: INM100
Год: 2007

Визуальный контроль


Оже-микрозонд PHI-670xi (Physical Electronics)
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: Physical Electronics
Марка: PHI-670xi
Год: 2012

Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ


Оптический микроскоп Nikon ECLIPSE L200N
Страна: Япония
Фирма-изготовитель: Nikon
Марка: ECLIPSE L200N
Год: 2005

Микроскоп предназначен для изучения и контроля качества различных объектов. Анализ в отраженном и проходящем свете, в режимах светлого поля и темного поля и др.


Микроскоп предназначен для изучения и контроля качества различных объектов (биологических структур, МЭМС, интегральных микросхем и др.).

Возможности:

·         Качественный анализ поверхности.

·         Качественный анализ элементов структуры прозрачных объектов.

·         Измерение линейных размеров.

·         Оценка перепада высот.

Проведение наблюдения при эпископическом и диаскопическом освещении (отраженный и проходящий свет), в режимах светлого поля и темного поля, простой поляризации, эпифлуоресценции, дифференциально-интерференционного контраста.

Технические характеристики:

·      Объективы серии CFI, свободные от хроматических аберраций.

·      Объективы 5x, 10x, 20x, 50x, 100x, 150x (область измерения от 2.3х1.7см до 125х90 мкм).

·      Цифровая камера 5 Мп.

·      Шаг фокусировки 1 мкм.



Оптический микроскоп VL2000D высокого разрешения
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: KLA-Tencor
Марка: VL2000D
Год: 2007

Визуальный контроль


Оптический микроскоп Vistec lNM100/DFC290 с цветной цифр.камерой
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: KLA-Tencor
Марка: lNM100/DFC290
Год: 2007

Визуальный контроль


Оптический микроскоп Vistec lNM100/DFC290 с цветной цифр.камерой
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: KLA-Tencor
Марка: lNM100/DFC290
Год: 2007

Визуальный контроль


Оптический профилометр
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: Veeco Wyko
Марка: NT 9300
Год: 2010

Предназначен для измерений линейных размеров элементов рельефа вдоль осей X, Y и Z, параметров шероховатости поверхности и трехмерной визуализации поверхности твердотельных объектов с коэффициентом отражения более 1 % оптическим методом. 

Диапазон измерений линейных размеров вдоль оси Z, нм: от от 2 до 1·1000000. Диапазон измерений линейных размеров в плоскости XY, мкм: от 2 до 200000.

Диапазон перемещений моторизованного столика по осям X, Y, мм: от 0 до 205. Диапазон перемещений турели с объективами по оси Z, мм: от 0 до 55. Разрешение вдоль оси Z, нм: 0,1.


Полуавтоматическая зондовая установка
Страна: Соединённые Штаты Америки
Фирма-изготовитель: Cascade Microtech
Марка: Summit 12K
Год: 2005

Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм