Пн-Пт с 9:00 до 18:00
Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, д.6
телефон для заявок
ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКИ
ПОЧЕМУ МЫ?
Эффективная
работа в кооперации
Большой
парк оборудования
Индивидуальный подход
к каждому заказчику
Многолетний опыт
разработок и исследований
Доступные цены
Высококвалифицированные
специалисты
КЛИЕНТЫ О НАС
Кафедра квантовой физики НИУ МИЭТ
Кафедра КФН МИЭТ долгое время пользуется услугами ЦКП МСТиЭКБ. За всё время сотрудничества специалисты центра коллективного пользования оказывали услуги только высочайшего качества. Исследования, произведенные на оборудовании центра, а именно на РЭМ/ФИП FEI Quanta 3D FEG, профилометре, РЭМ JEOL JSM-6490LV и других, позволили разработать технологические процессы создания СВЧ схем на основе гетероструктур арсенида и нитрида галлия. Оборудование и квалификация специалистов ЦКП МСТиЭКБ находятся на высоком мировом уровне.
Зеленоградский нанотехнологический центр, ЗНТЦ
С ЦКП сотрудничаем давно. Постоянно проводятся работы по измерению толщин металлических пленок:
- для аттестационных процессов напыления тонких пленок различных материалов;
- для отработки технологий получения новых процессов;
- для межоперационного контроля изготовления МЭМС и СБИС.
Проводимые измерения позволяют точно определять скорости напыления различных материалов
при различных технологических режимах. Это очень важно для получения пленок требуемых толщин, а также
для определения чистоты и качества получаемых пленок (при сравнении Rv получаемых пленок с сопротивлением объемных образцов).
- для аттестационных процессов напыления тонких пленок различных материалов;
- для отработки технологий получения новых процессов;
- для межоперационного контроля изготовления МЭМС и СБИС.
Проводимые измерения позволяют точно определять скорости напыления различных материалов
при различных технологических режимах. Это очень важно для получения пленок требуемых толщин, а также
для определения чистоты и качества получаемых пленок (при сравнении Rv получаемых пленок с сопротивлением объемных образцов).
ФНЦТИО им. ак. В.И.Шумакова Минздрава РФ
Совместно с сотрудниками ЦКП выполняем исследования наноструктур биологических объектов с применением СЭМ/ФИП FEI Quanta 3D FEG, АСМ AIST и др. Хотим отметить высочайший технический и научный уровень специалистов ЦКП и качество исследовательского оборудования и полученных результатов
Кафедра микроэлектроники НИЦ МИЭТ
На базе ЦКП проводились исследования образцов с помощью РМА для НИУ МИЭТ, кафедры МЭ, по определению материалов, их толщины и качеству напыления металлов на кремниевые структуры. Также определяли наличие дефектов у образцов, их размеры и профиль на РЭМ. Полученными результатами полностью удовлетворены, качество работы и фотографий на высоком уровне, оперативно реагировали на изменения в заказе и сделали всё в оговоренные сроки.
Казанский федеральный университет
Начавшееся год назад сотрудничество между ЦКП и Казанским федеральным университетом оправдали ожидания последнего по оперативности и качеству проводимых измерений, используя РЭМ/ФИП FEI Quanta 3D FEG и UVISEL 2 Horiba. Выполненные работы по характеризации и структуризации тонких пленок нитридов переходной группы металлов полностью удовлетворили наши потребности. Высококвалифицированные инженеры ЦКП МСТиЭКБ показали себя как профессиональные исследователи мирового уровня.
НИИТФА
Проводилось измерение теплофизических и электрофизических характеристик тонких полупроводниковых пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку с помощью методов магнетронного напыления.
Следует отметить высокую квалификацию специалистов ЦКП МСТиЭКБ.
Следует отметить высокую квалификацию специалистов ЦКП МСТиЭКБ.
Основные направления исследований
Деятельность Центра направлена на проведение научных исследований и предоставление научно-технических услуг. Ключевым аспектом является разработка и создание новой элементной базы нано- и микросистемной техники, в том числе разработка и создание реальных инновационных продуктов на основе новой элементной базы.
Центр специализируется на выполнении разносторонних исследований образцов нано- и микросистемной техники и наноэлектроники на всех этапах жизненного цикла изделия – от идеи до чипа.