Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Обеспечивает формирование топологических элементов с размерами нанодиапазона в маскирующем слое при прямом переносе изображения методом электронно-лучевой литографии; позволяет осуществлять замкнутый цикл изготовления фотошаблонов, включающий изготовление критических слоев с использованием RET-технологии

Обрезка выводной рамки и формовка выводов микросхемы

Проведение электронной литографии

Система временного бондинга пластин со структурами, формируемыми по технологии 3D сборки :
* установка бондинга SUSS Micro Tec SB8Gen,
* установка очистки SUSS Micro Tec SD12,
* установка задубливания фиксирующего состава Sawatec HP200,
* установка дебондинга SUSS Micro Tec DB12T   
 Процессы временного бондинга являются необходимым этапом реализации замкнутого цикла создания микроэлектронных систем с применением технологии 3D-интеграфии и получения утоненных полупроводниковых пластин (в т.ч. со сформированными TSV-структурами).

Построение карт распределения температуры по поверхности структуры в различных цветовых палитрах. Построения графиков распределения температуры вдоль заданного сечения. Запись видео динамических тепловых процессов на поверхности структуры. Выполнение логических операций над кадрами для определения областей изменения температуры во времени.

Рентгеноскопический  цифровой  контроль микросхем с функцией  томографии

Термокатод позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 12 нм; максимальный размер образца 150х150х10 м

Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм

Позволяет формировать интегральные схемы на фотошаблонах размером 7 дюймов, используемых для контактной литографии

Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм

Микроскоп предназначен для изучения и контроля качества различных объектов. Анализ в отраженном и проходящем свете, в режимах светлого поля и темного поля и др.

Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ

Визуальный контроль

Визуальный контроль

Герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки

Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца.

Измерение параметров аналоговых микросхем и устройств

Для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств

Испытание микросхем  термоциклами

Установка тестирования микросхем в составе пластин

Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов.

Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;
определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;"
определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.

Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов