Карбид кремния

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и в высокотемпературных тиристорах.

По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

•     в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
•     в 10 раз большая электрическая прочность;
•     высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
•     теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
•     устойчивость к воздействию радиации;
•     стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Разработки выполняются при поддержке НИУ МИЭТ Министерством Образования и науки Российской Федерации (Соглашение от «03» октября 2017 г.  № 14.581.21.0021).