Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, д.6
8 (499) 720-69-07 
info@ckp-miet.ru
Пн-Пт с 9:00 до 18:00
Главная страница / О Центре / Сотрудники / Дирекция ЦКП / Научно-технологический центр "Нано- и микросистемной техники" (НТЦ НМСТ) / НИЛ "Разработка технологий" (РТ)
Захарова Н.С.
Инженер (НИЛ "Разработка технологий" (РТ))
Статьи
- Влияние технологических режимов формирования пленки негативного фоторезиста ФН16У в процесс «взрывной» фотолитографии на параметры жертвенного слоя, 2019 г.
Микроэлектроника и информатика - 2019 2019. – С. 55
Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, д.6
