2020 г.

Формирование переходного слоя AlN на темплейтах 3C-SiC/Si(111) методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Автор(ы): Федотов С.Д., Бабаев А.В., Стаценко В.Н., Царик К.А., Неволин В.К.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. –№ S96-1. – С. 148-153
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.148.153
Статус: ВАК, РИНЦ

Скачать

Имя файла: Fedotov1.pdf
Размер файла: 2.03 MB
Дата изменения: 26.09.2021 Воскресенье 16:02:03
Тип файла: PDF

 

Размер файла: 2.03 MB