Анализ материалов и структур

Основные направления исследований: анализ образцов нано- и микросистемной техники и наноэлектроники (материалов, тестовых структур, изделий на различной стадии готовности).

Проводится комплексное решение проблем при диагностике новых материалов, технологических процессов и калибровки методик пооперационного контроля в производстве.

Особое внимание следует уделить возможности проведения элементного и химического трехмерного качественного и количественного анализа с нанометровым разрешением по трем осям.

Измерение линейных размеров

• Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6490LV (разрешение 10 нм).
• Двулучевая система FEI Quanta 3D FEG (разрешение 2 нм).
• Сканирующий зондовый микроскоп «SMART-SPM 1000» (разрешение менее 10 нм).
• Оптический микроскоп Nikon Eclipse L200N (увеличение 50х-1500х).
• Стилусные профилометры Alpha-Step D-120, Alpha-Step 200 (точность воспроизведения по Z  - 5 А).
• Оптический профилометр Veeco Wyko NT 9300 (разрешение по Z – от 1 нм).

• Просвечивающий электронный микроскоп Titan Themis с корректором сферической аберрации. Ускоряющее напряжение:200 кВ.
  Разрешение 0,09 нм.

Поперечное сечение микросхемы памяти

Увеличенное изображение подзатворной области транзистора

Исследования элементного состава

• Оже-спектрометр  PHI-670xi Physical Electronics (разрешение по глубине от 2 А, чувствительность порядка 0,1 атм.%).
• Времяпролётный вторичный ионный масс-спектрометр IonTof TofSims 5 (разрешение по глубине от 2 А, чувствительность порядка 1017).
• Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6490 LV, оснащенный приставкой для энергодисперсионного рентгеновского микроанализа Oxford Instruments 50-X-MAX-20 (предел обнаружения порядка 0,1%).

• Просвечивающий электронный микроскоп Titan Themis c корректором сферической аберрации. Ускоряющее напряжение: 200 кВ.
Разрешение: 0,09 нм.

Распределение элементов  в микросхеме памяти

Поперечное сечение  микросхемы памяти

Исследования морфологии поверхности

• Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6490LV (разрешение 10 нм).
• Двулучевая система FEI Quanta 3D FEG (разрешение 2 нм).
• Сканирующий зондовый микроскоп «SMART-SPM 1000» (разрешение менее 10 нм).
• Оптический профилометр Veeco Wyko NT 9300 (разрешение по Z – от 1 нм).

Исследование магнитных характеристик

• Установка измерения магнитооптических параметров методом Керра BH-PI7892V (магнитное поле от -100 до 100 Э).
• Сканирующий зондовый микроскоп «SMART-SPM 1000» (разрешение менее 10 нм).

Исследования структуры

• Многофункциональный рентгеновский дифрактометр Rigaku SmartLab.
• Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6490LV с установленным детектором обратно-рассеянных электронов Bruker Quantax eFlash.

• Просвечивающий электронный микроскоп Titan Themis c корректором сферической аберрации. Ускоряющее напряжение: 200 кВ.
  Разрешение: 0,09 нм.

---