Проведение технологических процессов

Оборудование ЦКП позволяет проводить для нужд заказчиков как отдельные операции, так и полный цикл изготовления изделий нано и микросистемной техники и интегральных схем. Особенностью ЦКП является возможность проведения небольших партий и наличие нестандартных операций для микроэлектроники, таких как глубинное травление кремния, нанесение магнитных слоев, ионно-лучевое травление и др.

Перечень технологических операций:

• Термические процессы: диффузия (фосфор), окисление (влажное, сухое), осаждение слоев LP, CVD, PECVD (Si3N4, SiO2, поликремний).
• Вакуумное напыление (Al, Ti, Pt, FeNi, магнитные материалы и др).
• Бондинг (анодный, термокомпрессионный, полимерный, клеевый).
• Плазмохимическое травление (металлов, диэлектриков, анизотропное травление Si).
• Жидкостные процессы.
• Атомно-слоевое осаждение.
• Химико-механическая полировка диэлектриков и металлов.
• Магнетронное осаждение многослойных металлических и диэлектрических слоев в едином вакуумном цикле (до 9 слоев).
• Ионно-лучевое травление.
• Быстрый термический отжиг (скорость нагрева 1°С/сек - 200°С/сек., макс темп 1200°С. ).
• Контактная фотолитография: разрешением до 0,6 мкм.
• Напыление проводящих и барьерных слоев Ti/TiN/Al.
• Осаждение вольфрама в окна межслойной изоляции.
• Беззарядовое сухое удаление фоторезиста.
  
• Химическая обработка.
• Проекционная фотолитография: минимальный размер 0,35(25) мкм.
• Ионная имплантация (энергия от 10 кэВ до 200 кэВ с возможностью использования двухзарядных ионов ).

Все участки представляют из себя «чистые» комнаты классов 5ИСО и 6ИСО. Вход в чистые комнаты осуществляется из помещений для второго переодевания через чистые коридоры класса 6ИСО.