Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Установка предназначена для изготовления тонких металлических плёнок методом магнетронного распыления на постоянном токе в среде аргона, а также методом реактивного магнетронного ВЧ-распыления на пластинах Ø 150 мм, 100 мм, а также отдельных небольших образцах. Возможно нанесение тонких плёнок из:

- сплава никель-железо-кобальт (NiFeCo);

- сплава никель-железо (NiFe);

- алюминия (Al);

- никеля (Ni);

- титана (Ti);

- тантала (Ta);

- сплава кобальт-железо-бор (CoFeB);

- магния (Mg);

- сплава железо-марганец (FeMn);

- сплава марганец-иридий (MnIr);

- сплава никель-железо (FeNi);

- сплава железо-кобальт (FeCo);

- сегнетоэлектрика.

Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 ?; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см

Разделение полупроводниковых пластин

Формирование внутренних выводов микросхемы