2020 г.

Влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на однородность толщины зародышевых слоев GaN / Influence of Technological Parameters of the Atomic-Layer Epitaxy Process on the Un

Автор(ы): Дедкова А.А., Никифоров М.О., Рыгалин Б.Н.
Опубликовано: Известия вузов. Электроника – 2020. – Т. 25. № 3. – С. 277–281.
DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-3-277-281
Статус: ВАК, РИНЦ

Скачать

Имя файла: GaN.pdf
Размер файла: 2.44 MB
Дата изменения: 26.09.2021 Воскресенье 18:17:04
Тип файла: PDF

 

Размер файла: 2.44 MB