Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Элементный анализ

Одновременная регистрация всех элементов от B до U; предел обнаружения элементов ~1019 ат./см3; разрешение по энергии 121 эВ

Установка предназначена для резистивного нанесения плёнок на кремниевые пластины диаметром 100 мм с предварительным нагревом пластины в едином вакуумном цикле. Возможно также использование пластин диаметром 150 мм. Возможно нанесение тонких плёнок из:

- алюминия (Al);

- меди (Cu);

- индия (In);

- висмута (Bi);

- олова (Sn);

- золота (Au);

- серебра (Ag);

- сурьмы (Sb).

Технические характеристики:

Диаметр обрабатываемых кремниевых пластин, мм.  100 или 150

Количество обрабатываемых пластин за цикл, шт.    1

Предельное остаточное давление в рабочей камере, Па   2,6·10^-3

Максимальная мощность нагревателя пластин, кВт     1

Максимальная температура датчика нагрева пластин, °С 200

Количество резистивных испарителей, шт. 1

Максимальная мощность блока питания резистивного испарителя, Вт 600

Программное обеспечение позволяет выбирать 1, 5, 9, 25 или 49 точек для автоматического тестирования и отображения тестового образца. Шаблоны позиционирования могут быть настроены на круглую или квадратную конфигурацию.
Выдает информацию о среднем удельном сопротивлении, стандартном отклонении удельного сопротивления, среднем сопротивлении образца и стандартном отклонении.

Два ионных источника;
формирование полированных шлифов под углами 0-10° на глубину до 2 мм;
возможность загрузки образцов диаметром 25 мм и высотой более 10 мм;
вращение образца на 360°;
непрерывное изменение диапазона энергии ионов от 0,1 кэВ до 6,0 кэВ;
плотность ионного тока до 10 мA/см2;
технологический газ – аргон (Ar);"
вакуум в рабочей камере не хуже 5?10-2 Па.

Неразушрающий метод анализа, который позволяет получать акустическое изображение образца и выявить такие дефекты как расслоение, наличие пустот и трещин. Позволяет определять качество процесса бондинга. Максимально разрешение 5мкм.

Позволяет проводить измерения внутри камеры растрового электронного микроскопа, нагревая и охлаждая образец в диапазоне от минус 20 °С до + 150 °С, одновременно наблюдая за процессом.

Диапазон длин волн 440-848 нм; оптимальный размер области измерения 70х250 мкм и более; фиксированный угол падения 70°; точность определения показателя преломления n(632,8 нм) ± 0,002 (http://www.nytek.ru/catalog/spectroscopic-ellipsometers/autose/).

Система предназначена для локального исследования магнитооптического эффекта Керра и наблюдения поведения магнитных доменов на тонких пленках, структурированных магнитных микроустройствах и др. Диапазон области анализа около 2 мкм; 20-ти и 50-ти кратные объективы; возможно проведение измерения при низких (2,2К) и средних (500К) температурах; тип наблюдаемого эффекта: полярный и меридиональный

Проведение электронной литографии

Построение карт распределения температуры по поверхности структуры в различных цветовых палитрах. Построения графиков распределения температуры вдоль заданного сечения. Запись видео динамических тепловых процессов на поверхности структуры. Выполнение логических операций над кадрами для определения областей изменения температуры во времени.

Термокатод позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 12 нм; максимальный размер образца 150х150х10 м

Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм

Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм

Микроскоп предназначен для изучения и контроля качества различных объектов. Анализ в отраженном и проходящем свете, в режимах светлого поля и темного поля и др.

Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ

Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца.

Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов.

Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;
определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;"
определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.

Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов

Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 ?; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см