Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Функциональный и параметрический контроль микросхем

Формирование внутренних выводов микросхемы с системой контроля

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Контроль наличия посторонних частиц в подкорпусном объеме микросхем

Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения

Минимальный размер обнаруживаемых дефектов 0,25 мкм, размер рабочего поля 153х153 (мм), максимальная высота рамки пелликла 8 мм, форматы проектных данных: ZBA, GDS, DXF, ЭМ-5х09, ЭМ-5х89 

Полный цикл оборудования для контактной фотолитографии. Включает в себя установки отмывки, проявления и нанесения фоторезиста. Экспонирование производится на установках Suss MA/BA 6 и MA150

Позволяет производить процессы сухого и влажного окисления кремния, диффузии фосфора, нанесения нитрида кремния.

Предназначен для сухого травления кремния (Bosch процесс, изотропное травление кремния), диэлектрических слоев и металлов.

Позволяет проводить PE CVD процессы осаждения нитрида, оксида и оксинитрида кремния.

Установка магнетронного напыления металлов. Предназначена для напыления тонких пленок металлов (алюминий, титан)

Предназначен для спреевой химической обработки кремниевых пластин.

Установка сращивания пластин. Предназначена для проведения процессов бондинга: предварительное сращивание для прямого сращивания, анодная посадка, сращивание с применением промежуточного слоя. Максимальная температура 450 С, максимальная сила прижима 20 кН.

 Для проведения операций по сушке микросхем

Обеспечивает формирование топологических элементов с размерами нанодиапазона в маскирующем слое при прямом переносе изображения методом электронно-лучевой литографии; позволяет осуществлять замкнутый цикл изготовления фотошаблонов, включающий изготовление критических слоев с использованием RET-технологии

Обрезка выводной рамки и формовка выводов микросхемы

Система временного бондинга пластин со структурами, формируемыми по технологии 3D сборки :
* установка бондинга SUSS Micro Tec SB8Gen,
* установка очистки SUSS Micro Tec SD12,
* установка задубливания фиксирующего состава Sawatec HP200,
* установка дебондинга SUSS Micro Tec DB12T   
 Процессы временного бондинга являются необходимым этапом реализации замкнутого цикла создания микроэлектронных систем с применением технологии 3D-интеграфии и получения утоненных полупроводниковых пластин (в т.ч. со сформированными TSV-структурами).

Рентгеноскопический  цифровой  контроль микросхем с функцией  томографии

Позволяет формировать интегральные схемы на фотошаблонах размером 7 дюймов, используемых для контактной литографии

Визуальный контроль

Визуальный контроль