Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Элементный анализ

Одновременная регистрация всех элементов от B до U; предел обнаружения элементов ~1019 ат./см3; разрешение по энергии 121 эВ

Функциональный и параметрический контроль микросхем

Формирование внутренних выводов микросхемы с системой контроля

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Установка предназначена для резистивного нанесения плёнок на кремниевые пластины диаметром 100 мм с предварительным нагревом пластины в едином вакуумном цикле. Возможно также использование пластин диаметром 150 мм. Возможно нанесение тонких плёнок из:

- алюминия (Al);

- меди (Cu);

- индия (In);

- висмута (Bi);

- олова (Sn);

- золота (Au);

- серебра (Ag);

- сурьмы (Sb).

Технические характеристики:

Диаметр обрабатываемых кремниевых пластин, мм.  100 или 150

Количество обрабатываемых пластин за цикл, шт.    1

Предельное остаточное давление в рабочей камере, Па   2,6·10^-3

Максимальная мощность нагревателя пластин, кВт     1

Максимальная температура датчика нагрева пластин, °С 200

Количество резистивных испарителей, шт. 1

Максимальная мощность блока питания резистивного испарителя, Вт 600

Контроль наличия посторонних частиц в подкорпусном объеме микросхем

Программное обеспечение позволяет выбирать 1, 5, 9, 25 или 49 точек для автоматического тестирования и отображения тестового образца. Шаблоны позиционирования могут быть настроены на круглую или квадратную конфигурацию.
Выдает информацию о среднем удельном сопротивлении, стандартном отклонении удельного сопротивления, среднем сопротивлении образца и стандартном отклонении.

Два ионных источника;
формирование полированных шлифов под углами 0-10° на глубину до 2 мм;
возможность загрузки образцов диаметром 25 мм и высотой более 10 мм;
вращение образца на 360°;
непрерывное изменение диапазона энергии ионов от 0,1 кэВ до 6,0 кэВ;
плотность ионного тока до 10 мA/см2;
технологический газ – аргон (Ar);"
вакуум в рабочей камере не хуже 5?10-2 Па.

Неразушрающий метод анализа, который позволяет получать акустическое изображение образца и выявить такие дефекты как расслоение, наличие пустот и трещин. Позволяет определять качество процесса бондинга. Максимально разрешение 5мкм.

Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения

Минимальный размер обнаруживаемых дефектов 0,25 мкм, размер рабочего поля 153х153 (мм), максимальная высота рамки пелликла 8 мм, форматы проектных данных: ZBA, GDS, DXF, ЭМ-5х09, ЭМ-5х89 

Полный цикл оборудования для контактной фотолитографии. Включает в себя установки отмывки, проявления и нанесения фоторезиста. Экспонирование производится на установках Suss MA/BA 6 и MA150

Позволяет производить процессы сухого и влажного окисления кремния, диффузии фосфора, нанесения нитрида кремния.

Предназначен для сухого травления кремния (Bosch процесс, изотропное травление кремния), диэлектрических слоев и металлов.

Позволяет проводить PE CVD процессы осаждения нитрида, оксида и оксинитрида кремния.

Установка магнетронного напыления металлов. Предназначена для напыления тонких пленок металлов (алюминий, титан)

Предназначен для спреевой химической обработки кремниевых пластин.

Установка сращивания пластин. Предназначена для проведения процессов бондинга: предварительное сращивание для прямого сращивания, анодная посадка, сращивание с применением промежуточного слоя. Максимальная температура 450 С, максимальная сила прижима 20 кН.

Позволяет проводить измерения внутри камеры растрового электронного микроскопа, нагревая и охлаждая образец в диапазоне от минус 20 °С до + 150 °С, одновременно наблюдая за процессом.

 Для проведения операций по сушке микросхем

Диапазон длин волн 440-848 нм; оптимальный размер области измерения 70х250 мкм и более; фиксированный угол падения 70°; точность определения показателя преломления n(632,8 нм) ± 0,002 (http://www.nytek.ru/catalog/spectroscopic-ellipsometers/autose/).

Система предназначена для локального исследования магнитооптического эффекта Керра и наблюдения поведения магнитных доменов на тонких пленках, структурированных магнитных микроустройствах и др. Диапазон области анализа около 2 мкм; 20-ти и 50-ти кратные объективы; возможно проведение измерения при низких (2,2К) и средних (500К) температурах; тип наблюдаемого эффекта: полярный и меридиональный