? ??????  ??????????  ???????  ????????  ? ?????
Главная страница / Статьи

Статьи

2020г.
Влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на однородность толщины зародышевых слоев GaN / Influence of Technological Parameters of the Atomic-Layer Epitaxy Process on the Un
Автор(ы): Дедкова А.А., Никифоров М.О., Рыгалин Б.Н.
Опубликовано: Известия вузов. Электроника – 2020. – Т. 25. № 3. – С. 277–281.
DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-3-277-281
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Влияния термообработки на оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 для многоуровневых устройств нанофотоники
Автор(ы): Дедкова А.А., Федянина М.Е., Якубов А.О.
Опубликовано: XVIII Всероссийский молодежный Самарский конкурс-конференция научных работ по оптике и лазерной физике: сборник трудов конференции, (Самара, 10–14 ноября 2020 г.). – Москва: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт и – 2020. – С. 212-218.

2020г.
Возможности и ограничения метода контактной профилометрии при определении перепада высот для контроля топологических элементов и толщины слоев
Автор(ы): Махиборода М.А., Дедкова А.А., Киреев В.Ю.
Опубликовано: Наноструктуры Математическая физика и моделирование. – 2020. – № 20(2). – 23-40.
DOI: 10.31145/2224-8412-2020-20--2-23-40
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Инструментальные средства программирования систем управления вакуумным технологическим оборудованием
Автор(ы): Рябов В.Т.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. –№ S2. – С. 101-106
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2s.101.106
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Исследование временной деградации кремниевых наноструктур в процессе автоэлектронной эмиссии на основе in-situ методики РЭМ измерений
Автор(ы): Дюжев Н. А., Махиборода М.А., Демин Г.Д., Евсиков И.Д., Филиппов Н.А., Коротков С.Ю.
Опубликовано: Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника"-2020 2020. – Том 2. – С.879-880.

2020г.
Исследование механической прочности мембранной структуры из SiO2
Автор(ы): Гусев Е.Э., Товарнов Д.А.
Опубликовано: Микроэлектроника и информатика – 2020 – 2020. – С. 43

2020г.
Коммутация кристаллов припойными шариками в микросистемах 2,5D и 3D-сборок
Автор(ы): Змеев С.В.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. –№ S96-2. – С. 434-437
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.434.437
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Концепция спинтронного мемристора на базе системы взаимосвязанных спин-орбитальных гетероструктур с управляемым количеством промежуточных резистивных состояний
Автор(ы): Дюжев Н. А., Демин Г.Д., Степанов П.А
Опубликовано: Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника"-2020 2020. – Том 1. – С.185-186.

2020г.
Мембранные технологии микроэлектроники: возможности, ограничения, области применения и направления развития
Автор(ы): Дюжев Н. А.
Опубликовано: Наноструктуры. Математическая физика и моделирование - 2020, № 21(2), 05–32
DOI: 10.31145/2224-8412-2020-21-2-05-32
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Моделирование МЭМС-элемента приемника ИК-излучения на основе системы переключаемых термопар
Автор(ы): Демин Г.Д., Фетисов Е.А., Хафизов Р.З.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. – Т. 13, № S4 (99). – С. 525-526
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.525.526
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Оперативная неразрушающая методика анализа прогиба мембран, расположенных на пластине
Автор(ы): Дюжев Н. А., Гусев Е.Э., Дедкова А.А., Штерн М.Ю.
Опубликовано: Дефектоскопия – 2020. – №. 5. – С. 52–59.
DOI: 10.31857/S0130308220050073
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Оптимизация анодной мембраны с прострельной мишенью в системе источников мягкого рентгеновского излучения для проведения процессов рентгеновской литографии
Автор(ы): Дюжев Н. А., Глаголев П.Ю., Демин Г.Д., Орешкин Г.И.
Опубликовано: Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника"-2020 2020. – Том 2. – С.853-854.

2020г.
Оптимизация анодной мембраны с прострельной мишенью в системе источников мягкого рентгеновского излучения для проведения процессов рентгеновской нанолитографии
Автор(ы): Дюжев Н. А., Глаголев П.Ю., Демин Г.Д., Орешкин Г.И., Чхало Н.И.
Опубликовано: Журнал технической физики – 2020. – Т. 90, Вып. 11. – С. 1789-1796
DOI: 10.21883/JTF.2020.11.49964.137-20
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Отработка технологии адгезивного бондинга кремниевых пластин
Автор(ы): Гусев Е.Э., Фомичев М.Ю.
Опубликовано: Микроэлектроника и информатика – 2020 – 2020. – С. 46

2020г.
Применение оптической микроскопии для качественного и количественного анализа поверхности твердых тел
Автор(ы): Махиборода М.А., Дедкова А.А.
Опубликовано: Наноструктуры. Математическая физика и моделирование – 2020. – № 20(2). – 41-64.
DOI: 10.31145/2224-8412-2020-20--2-41-64
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Разработка и интеграция газоанализаторов в информационные системы экологического мониторинга
Автор(ы): Дюжев Н. А., Чиненков М.Ю., Рябов В.Т., Переверзев А.Л.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. – Т. 13, № S4 (99). – С. 139-140
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.139.140
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Разработка технологии создания диодных и триодных автоэмиссионных наноструктур для генерации сигналов ГГц диапазона
Автор(ы): Дюжев Н. А., Грязнева Т.А., Демин Г.Д., Евсиков И.Д., Филиппов Н.А.
Опубликовано: Сборник трудов VII Всероссийской микроволновой конференции – 2020. – С. 124-128.

2020г.
Расчет параметров электростатического управления торсионным микрозеркалом на базе тонкопленочной мембранной структуры
Автор(ы): Чиненков М.Ю., Демин Г.Д., Орешкин Г.И., Белова С.Д., Ким П.П.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. – Т. 13, № S4 (99). – С. 498-499
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.498.499
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Роботизированная перчатка на основе системы магниторезистивных сенсоров для нейрореабилитации пациентов после инсульта
Автор(ы): Глаголев П.Ю., Демин Г.Д.
Опубликовано: Наноиндустрия – 2020. – Т. 13, № S4 (99). – С. 521-522
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.521.522
Статус: ВАК, РИНЦ

2020г.
Спинтронный преобразователь электромагнитного излучения микроволнового диапазона частот с поглощающим нанопокрытием на базе метаматериала
Автор(ы): Дюжев Н. А., Андрюшин Р.Н., Демин Г.Д.
Опубликовано: Сборник трудов VII Всероссийской микроволновой конференции – 2020. – С. 42-46.